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            2016-2020年电力电子发展重点

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            2016-2020年电力电子发展重点

            发布日期:2017-01-26 09:58 来源:http://www.dougmelton.com 点击:

              【内蒙古鄂尔多斯电子有限公司主营SMD功率电感器、塑封绕线片式电感器、有机实芯电阻器等】制造业是国民经济的主体,是立国之本、兴国之器、强国之基。没有强大的制造业,就没有国家和民族的强盛。作为制造业之一的电力电子器件产业,是关系到国计民生的高新基础性产业,在经济发展、国防建设和民生中发挥着重大的作用。电力电子器件产业主要是核心的电力电子芯片和封装的生产,但也离不开半导体和电子材料、关键零部件、制造设备、检测设备等产业的支撑,其发展既需要上游基础的材料产业的支持,又需要下游装置产业的拉动,其产业发展具有投资大、周期较长的特点。

              为建立我国独立自主的、具有国际竞争力电力电子器件产业,建议在2016~2020年在以下技术和产业进行重点布局,并制定关键材料和关键器件的相关技术标准。其中,近期发展目标为:在硅基电力电子器件用8英寸高阻区熔中照硅单晶圆片,IGBT封装用平板全压接多台架精密陶瓷结构件、氮化铝覆铜板、铝-碳化硅散热基板,6英寸碳化硅单晶及外延材料,6英寸~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高温(>300oC)封装材料等关键材料方面形成生产能力;关键电力电子器件方面,硅基IGBT芯片、??橐约肮杌鵐OSFET、FRD的国内市场占有率达到一定的份额,形成中低压 SiC功率二极管、JFET和MOSFET以及低压GaN功率器件等器件生产能力,开发相应功率???。2020年发展目标为:在关键材料方面,形成硅基电力电子器件所需全部材料、碳化硅6英寸单晶和厚外延材料、6~8英寸硅基GaN外延材料和4~6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN电力电子器件所需高温(>300oC)封装材料等的生产能力,并建立相应标准体系和专利?;せ?在关键电力电子器件方面,硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化产品,综合性能达到国际先进水平,SiC二极管、晶体管及其??椴泛虶aN器件产品具有国际竞争力。


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